特許
J-GLOBAL ID：201303004378555993
不揮発性メモリセル、これを備える不揮発性メモリ装置および遷移金属酸化物の選定方法。
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008516
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149759
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】量子力学に基づくReRAMの本体論としての動作メカニズムを確立し、新規かつ正確な設計原理を見出すことにより、従来予想された以上に書き換え速度が速く、大容量のデータを高信頼性で取り扱えるReRAMを高歩留まりで提供する。【解決手段】本発明に係る不揮発性メモリセルは、上記第1電極と第2電極との間に電圧を印加することによって、HfO2層またはCoO層中に配列した酸素欠損2の周囲において、電子を伝導する伝導パス3が上記第1電極から第2電極へ向かって形成されるように、CoO層またはHfO2層が配置されている。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
第1電極、第2電極、および上記第1電極と第2電極との間に配置されたHfO2層またはCoO層を備え、上記第1電極と第2電極との間に電圧を印加することで抵抗が変化する不揮発性メモリセルであって、
上記第1電極と第2電極との間に電圧を印加することによって、HfO2層またはCoO層中に配列した酸素欠損の周囲において、電子を伝導する伝導パスが上記第1電極から第2電極へ向かって形成されるように、CoO層またはHfO2層が形成されていることを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, G11C 13/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 110R
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083GA25
, 5F083HA02
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR21
, 5F083PR40
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
