特許
J-GLOBAL ID：201303008619360060
半導体装置及び接着シート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
吉武 賢次
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-219339
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071216
特許番号：特許第5095697号
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板上に設けられた第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シートと、
を備え、
前記金属不純物イオン捕獲剤は、表面ラフネスが1.0nm以上である、シリコンパウダーである、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
, C09J 7/00 ( 200 6.01)
, C09J 201/00 ( 200 6.01)
, C09J 11/00 ( 200 6.01)
H01L 25/08 Z
, H01L 21/52 E
, C09J 7/00
, C09J 201/00
, C09J 11/00
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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