特許
J-GLOBAL ID：201303015432911735
イオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人 小野国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-136222
公開番号（公開出願番号）：特開2013-003439
出願日： 2011年06月20日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】イオンビームに対して好適な感度を有し、より高アスペクト比かつ狭ピッチ間隔の微細構造を形成することが可能であり、かつ露光後のパターンの経時劣化が少ないレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】分子中に不飽和二重結合を二以上有する不飽和脂環式化合物とフェノール類との重付加物をグリシジル化して得られるエポキシ樹脂、光カチオン重合開始剤、有機溶剤を含有することを特徴とするイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物および前記レジスト組成物を基材に塗布した後、有機溶剤を揮発除去させることによりレジスト膜を得る第1の工程と、得られたレジスト膜にイオンビームを照射して所望のパターンに露光する第2の工程と、露光後のレジスト膜を現像して未露光域のレジストを溶解除去してパターン層を得る第3の工程とを有するパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記成分(A)〜(C)
(A)分子中に不飽和二重結合を二以上有する不飽和脂環式化合物とフェノール類との重付加物をグリシジル化して得られるエポキシ樹脂
(B)光カチオン重合開始剤
(C)有機溶剤
を含有することを特徴とするイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/038
, G03F 7/029
, H01L 21/027
G03F7/038 503
, G03F7/029
, H01L21/30 502R
2H125AE14P
, 2H125AF18P
, 2H125AF27P
, 2H125AF46P
, 2H125AN41P
, 2H125BA31P
, 2H125CA11
, 2H125CA15
, 2H125CB15
, 2H125CC01
, 2H125CC12
, 2H125FA05
