特許
J-GLOBAL ID：201303027520936495
光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085552
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219073
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】量子構造層を有する光電変換素子の光電変換効率を高める。【解決手段】第2半導体層70、第2コンタクト層80および基板90は、受光面とは反対側の量子構造層60の主表面に積層された「積層体200」を構成する。光散乱性反射層100は、光電変換素子10の受光面側とは反対側の積層体200の主表面に2次元配列して設けられている複数の金属ナノ粒子である。第2半導体層70、第2コンタクト層80、基板90の各層の量子構造層60に吸収される波長での光の吸光係数をα1、α2、α3(cm-1)と表し、第2半導体層70、第2コンタクト層80、基板90の各層の量子構造層60の各層の厚さをD1、D2、D3(cm)と表したとき、α1D1+α2D2+α3D3<0.1となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受光面側に位置する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の導電型と反対の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられており、
前記第1の半導体層および前記第2の半導体層のバンドギャップ以上のバンドギャップを有する1以上の第1の半導体領域と、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する1以上の第2の半導体領域と、を有する量子構造層と、
受光面とは反対側の前記量子構造層の主表面に積層され、前記第2の半導体層を含む複数の層からなる積層体と、
受光面とは反対側の前記積層体の主表面に設けられている光散乱性反射層と、
を備え、
前記積層体の各層について、前記量子構造層に吸収される光の波長での光の吸光係数をαicm-1、各層の厚さをDicmとしたとき(i=2〜n:nは積層体における層の数)、
ΣαiDi<0.1
という関係を満たす光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F151AA08
, 5F151CB08
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB21
, 5F151CB24
, 5F151CB30
, 5F151DA13
, 5F151FA06
, 5F151FA18
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA20
