特許
J-GLOBAL ID：201303036955513439
有機EL素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182853
公開番号（公開出願番号）：特開2010-268003
特許番号：特許第5299381号
出願日： 2010年08月18日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 対向する電極間に少なくとも発光層を含む有機層を有する有機EL素子の製造方法において、前記発光層を、昇華精製を行ったガラス転移温度が80〜250°Cのホスト化合物及び、ドーパントとして昇華精製を行ったガラス転移温度が80〜250°Cのリン光発光するイリジウム錯体を2種以上用いてウェットプロセスで形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
, C09K 11/06 ( 200 6.01)
H05B 33/14 B
, H05B 33/10
, C09K 11/06 660
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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