特許
J-GLOBAL ID：201303043401335691

多機能層を有する基体の製造方法

発明者：
古谷 正裕

古谷 正裕 について

, 
常磐井 守泰

常磐井 守泰 について

, 
田中 伸幸

田中 伸幸 について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-100516
公開番号（公開出願番号）：特開2007-270317
特許番号：特許第4853953号
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも表面層がジルコニウム、ジルコニウム合金、ジルコニウム合金酸化物又は酸化ジルコニウムからなる基体の表面を、 炭化水素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより、前記ジルコニウム、ジルコニウム合金、ジルコニウム合金酸化物又は酸化ジルコニウムの何れかで構成されている下層から連続して一体的に形成された柱状結晶である、炭素ドープ酸化ジルコニウム層又は炭素ドープジルコニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とすることを特徴とする多機能層を有する基体の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 26/00 ( 200 6.01) ,  C01G 25/02 ( 200 6.01) ,  B01J 35/02 ( 200 6.01) ,  B01J 37/02 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C23C 26/00 C ,  C01G 25/02 ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/02 301 A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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