イオン性カードラン誘導体および該カードラン誘導体と疎水性高分子から成る複合体

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井知
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-048690
公開番号（公開出願番号）：特開2008-208294
特許番号：特許第5112716号
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記の化学式1(式中、Rはカチオン性置換基またはアニオン性置換基であるイオン性置換基を表わす)で示される繰り返し単位から成るカードラン誘導体であって、Rで表されるカチオン性置換基が、4級アンモニウム基であるトリメチルアンモニウム基-N+(CH3)3もしくはトリエチルアンモニウム基-N+(C2H5)3であるか、または、Rで表されるアニオン性置換基が、硫酸基-SO3-、リン酸基-PO3-もしくはカルボン酸基-CO2-であることを特徴とするカードラン誘導体。

IPC (1件)：