特許
J-GLOBAL ID：201303054089272581
不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355977
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166591
特許番号：特許第5119436号
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 遷移金属または遷移金属を含む合金を内包するカーボンナノチューブからなる抵抗層と、該抵抗層を介して接続された第1電極および第2電極と、を備え、
上記第1電極と第2電極との間に電流または電圧を印加することで、上記抵抗層の抵抗が変化し、該電流または電圧の印加を停止後、上記抵抗が変化した状態が保持され、
該抵抗層の抵抗を可変に設定することにより情報を不揮発で書き込むことを特徴とする抵抗可変型不揮発性メモリセル。
IPC (7件)：
H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 27/10 451
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
, H01L 29/28 100 B
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/28 310 E
, H01L 29/06 601 N
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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