多機能層を有する基体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：栗原浩之 , 村中克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-100518
公開番号（公開出願番号）：特開2007-270319
特許番号：特許第4853955号
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも表面層がハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムからなる基体の表面を、炭化水素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより、前記ハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムの何れかで構成されている下層から連続して一体的に形成された柱状結晶である、炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とすることを特徴とする多機能層を有する基体の製造方法。

IPC (2件)：