特許
J-GLOBAL ID：201303065853988238
高電圧電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
加藤 久
, 久保山 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123461
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251338
出願日： 2012年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】無駄なスペースが少なく、形成が容易で加工工程時間が短い高電圧電力用半導体装置を提供する。【解決手段】第1の第1導電型半導体層(高抵抗N-層)1と、その一方の面に選択的に形成された第1の第2導電型層(P層)2と、他方の面に形成された第2の第1導電型層(N+層)3と、第1の第2導電型層2に接して形成されたトレンチ4と、トレンチ4内の絶縁体5と、トレンチ4の側壁ならびに底部に形成された第2の第2導電型層(P層)6と、トレンチ4の底部に選択的に形成された第3の第1導電型層(N+層)7とを有する高電圧電力用半導体装置。第3の第1導電型層7により空乏層が第1の第1導電型半導体層1の終端部まで広がらず、終端距離が短くなるため、第1導電型半導体層1の終端部をカットし、半導体装置の幅を小さくすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の第1導電型半導体層と、
前記第1の第1導電型半導体層の一方の面に選択的に形成された第1の第2導電型層と、
前記第1の第1導電型半導体層の他方の面に形成された第2の第1導電型層と、
前記第1の第2導電型層に接して前記第1の第1導電型半導体層に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に充填された絶縁体と、
前記トレンチの側壁ならびに底部に形成された第2の第2導電型層と、
前記第2の第2導電型層と離隔し、前記トレンチの側壁または底部に実質的に接して形成された第3の第1導電型層と
を有する高電圧電力用半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/329
H01L29/91 D
, H01L29/78 652N
, H01L29/06 301S
, H01L29/06 301V
, H01L29/06 301D
, H01L29/91 B
