半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011053909
公開番号（公開出願番号）：WO2011-105397
出願日： 2011年02月23日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

半導体装置(10)は、ガラス基板(12)、下部電極層(14)、n型にドーピングされたポリシリコン半導体層(16)、ナノワイヤ(32)の成長の核となる開口部(22),(23)を有する低温絶縁膜(20)、その上に成長するコアシェル構造のナノワイヤ(32)、その周囲を覆う絶縁層(50)、上部電極層(52)を含んで構成される。ナノワイヤ(32)は、n型GaAsのコア層と、p型GaAsのシェル層とで構成される。この他に、ナノワイヤは、量子井戸構造を有するナノワイヤとすることもでき、処理温度を低温化できるInAsを用いることもできる。

請求項（抜粋）：

ガラスまたはフィルム状の基板と、基板の面に平行に(111)面を有して形成されるポリシリコン半導体層と、ポリシリコン半導体層の(111)面を被覆し、ポリシリコンの各結晶粒の(111)面上の面積よりも小さい面積の複数の開口部を有する開口部付絶縁膜と、開口部付絶縁膜の開口部を核として、ポリシリコン半導体層の(111)面に垂直に延びるIII-V族化合物半導体の複数のナノワイヤと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 33/06 , H01L 33/24 , H01L 33/30 , H01S 5/343 , H01S 5/042 , H01L 31/10 , H01L 21/205 , C30B 29/62 , H01L 29/06 , H01L 31/04

FI (11件)：

H01L33/00 112 , H01L33/00 174 , H01L33/00 184 , H01S5/343 , H01S5/042 612 , H01L31/10 A , H01L21/205 , C30B29/62 U , H01L29/06 601N , H01L31/04 E , H01L29/06 601W

Fターム (66件)：

4G077AA04 , 4G077AB09 , 4G077BE46 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA56 , 5F045DB02 , 5F049MA02 , 5F049MA03 , 5F049MB07 , 5F049PA04 , 5F049PA18 , 5F141CA02 , 5F141CA10 , 5F141CA23 , 5F141CA35 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA73 , 5F141CA82 , 5F141CA88 , 5F141CA91 , 5F141CA93 , 5F141CB22 , 5F141CB36 , 5F151AA08 , 5F151DA01 , 5F151DA03 , 5F151DA13 , 5F173AC02 , 5F173AC12 , 5F173AD02 , 5F173AF03 , 5F173AF12 , 5F173AF20 , 5F173AF32 , 5F173AG11 , 5F173AH02 , 5F173AH45 , 5F173AK05 , 5F173AK20 , 5F173AK21 , 5F173AP06 , 5F173AP10 , 5F173AP13 , 5F173AP17 , 5F173AP62 , 5F173AP81 , 5F173AQ10 , 5F173AR99

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