特許
J-GLOBAL ID：201303086355683168
スイッチング素子の駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227835
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053433
特許番号：特許第5023615号
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属イオンを伝導するためのイオン伝導層と、
前記イオン伝導層と接して設けられ、該イオン伝導層と接触する部位が前記金属イオンを供給しない材料で覆われた第1電極と、
前記イオン伝導層と接して設けられ、前記金属イオンを供給可能な材料を含む第2電極と、を有するスイッチング素子の駆動方法であって、
オンおよびオフ間で繰り返し遷移させる場合、前記第2電極を接地し前記第1電極に負電圧を印加し、または前記第1電極を接地し前記第2電極に正電圧を印加してこれら2つの電極間に金属析出物を形成してオンにし、前記第1電極を接地し前記第2電極に負電圧を印加し、または前記第2電極を接地し前記第1電極に正電圧を印加して前記金属析出物を切り離してオフにし、
オンの状態に定着させる場合、オフの状態から前記第2電極を接地し前記第1電極に所定の正電圧を印加し、または前記第1電極を接地し前記第2電極に所定の負電圧を印加してこれら2つの電極を接続し、
オンの状態に定着させる場合に印加する前記所定の正電圧および所定の負電圧が前記イオン伝導層に絶縁破壊が生じる電圧以上の値である、スイッチング素子の駆動方法。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/82 ( 200 6.01)
H01L 27/10 451
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
, H01L 21/82 A
