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J-GLOBAL ID：201402208155735670   整理番号：14A0584196

高耐熱パワー半導体モジュールパッケージング要素技術

著者 (6件)： 日野泰成 (三菱電機) ,  長谷川滋 (三菱電機) ,  山田浩司 (三菱電機) ,  巽裕章 (三菱電機) ,  横村伸緒 (三菱電機) ,  畑中康道 (三菱電機)
資料名： 三菱電機技報
巻： 88  号： 5  ページ： 313-316  発行年： 2014年05月20日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,環境保護と省エネルギーを背景にパワーエレクトロニクスは民生,産業用のインバータだけでなく,電鉄,自動車,太陽光発電,風力発電へと適用範囲が拡大している。その中でパワーエレクトロニクスの基幹部品であるパワー半導体モジュールに対して,効率的な電流制御,厳しい使用環境下における耐久性及び小型化が要求されている。特にSiC(Silicon Carbide)を用いたパワー半導体モジュールは,高速動作が可能で動作時の損失が少なく,飛躍的に特性の向上を図ることができる。さらに高温動作化が可能であり,冷却構造の小型化を図ることができるため,一段とパワー半導体モジュールの小型化が実現可能となる。しかしながら,パワー半導体モジュールの高温動作化を実現するためには,チップの高温動作化だけでなく,パッケージ構造及び材料の高耐熱化が重要な技術課題となっている。そこで,三菱電機では高耐熱パワー半導体モジュールの製品化に向けて,パッケージ構造,材料及びその要素技術開発を加速している。本稿では,高耐熱化のために必要な高耐熱パワー半導体モジュールのパッケージング要素技術として,Agナノ粒子の低温焼結性を用いた接合技術及び封止技術について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *耐熱性 ,  *回路モジュール ,  *ICパッケージ ,  半導体チップ ,  *包装技法 ,  炭化ケイ素 ,  小型化 ,  ナノ粒子 ,  焼結 ,  接合 ,  密封
準シソーラス用語： Agナノ粒子 ,  *パワーモジュール ,  低温焼結 ,  *半導体パッケージ ,  封止

分類 (2件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• マジュムダール ゴーラブ,ほか:パワーモジュールの最新技術動向, 三菱電機技報, 86, No.5, 262~266 (2012)
• 長谷川 滋,ほか:1.7kV大容量ハイブリッドSiCモジュール, 三菱電機技報, 86, No.5, 287~290 (2012)
• 加柴良裕,ほか:半導体年鑑2014, 日経BP, 217~227 (2013)
• 日経エレクトロニクス編:次世代パワー半導体, 日経BP, 160~185 (2012)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高耐熱 ,  パワー半導体 ,  モジュール ,  パッケージング ,  要素技術