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文献
J-GLOBAL ID:201402222828133688   整理番号:14A0830750

オージェ電子-光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究

著者 (3件):
資料名:
号:ページ: 374-380  発行年: 2014年07月05日 
JST資料番号: S0128B  ISSN: 0386-2178  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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シリコン(Si)単結晶清浄表面およびSi単結晶上に作製した酸化シリコン(SiO2/Si)超薄膜表面界面の局所電子状態の研究は,金属酸化物半導体電解効果トランジスター(MOS-FET)開発におけるゲート絶縁膜の微細化,高集積化,低消費電力化の指針を与えると期待される。SiL23VVオージェ電子-Si2p光電子コインシデンス分光(Si-L23VV-Si-2pAPECS)について解説した。次に,実験として,Si単結晶清浄表面の作製,SiO2/Si超薄膜の作製とSiO2膜厚の見積もり,およびSi-L23VV-Si-2pAPECS測定について解説した。また,Si単結晶清浄表面の局所価電子状態の研究として,Si(111)-7×7の局所価電子状態,およびSi(100)-2×1の局所価電子状態について解説した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物の物理分析  ,  トランジスタ  ,  電子分光スペクトル 

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