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J-GLOBAL ID：201402235581188691   整理番号：14A0049262

Hot Wall法で成膜したBiI₃薄膜のX線回折と吸収スペクトル

著者 (7件)： 上田智博 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  相原慎吾 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  岩満一功 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  岩満一功 (熊本大 理) ,  市川聡夫 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  島本知茂 (熊本大 パルスパワー科研) ,  赤井一郎 (熊本大 パルスパワー科研)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 24th  ページ： 311-314  発行年： 2013年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *X線回折 ,  *ヨウ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  電子遷移 ,  結晶構造 ,  励起子 ,  積層欠陥 ,  *光吸収スペクトル ,  化合物半導体 ,  二次元
準シソーラス用語： III-V族半導体 ,  ホットウォール化学蒸着 ,  ヨウ化ビスマス ,  擬二次元 ,  擬二次元励起子 ,  光学遷移 ,  層状半導体

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (5件)： HOT ,  成膜 ,  薄膜 ,  X線回折 ,  吸収スペクトル