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J-GLOBAL ID：201402274376922248   整理番号：14A0627319

直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発~低ガス分圧成長について~

Developments of Self-alignment Process for Few Layers of Graphene with Low Gas Pressure and Short Deposition Time

著者 (2件)： 河原敏男 (中部大) ,  玉田敦子 (中部大)
資料名： 中部大学総合工学研究所総合工学(Web)  (中部大学総合工学研究所紀要(Web))
巻： 26  ページ： 24-30 (WEB ONLY)  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： U0212A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブやグラフェンのようなカーボンナノ材料は次世代材料として期待されており,ナノカーボンチャネルを用いて電界効果トランジスタに使用できる。本論文では,数層グラフェンの自己組織化プロセスによるデバイス開発を行った。特に,直接成長グラフェンを目指し,低濃度ガス分圧,および短時間成長を中心に条件探索を行いラマンスペクトルから評価した。その結果,中濃度域でのラマンピークの増大が観測された。さらに配列化プロセスを用いて自己組織化の影響を調べ,配列化によるラマンピークの増大も明らかとなった。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *自己組織化 ,  Ramanスペクトル ,  *化学蒸着 ,  ナノ構造 ,  自己整合 ,  エピタクシー ,  半導体プロセス ,  *FET【トランジスタ】 ,  Raman分光法 ,  グラフェン
準シソーラス用語： カーボンナノウォール ,  二層グラフェン ,  グラフォエピタクシー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  グラフェン ,  自己組織化 ,  デバイスプロセス ,  開発 ,  ガス分圧