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J-GLOBAL ID：201402283039742148   整理番号：14A0300150

酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望 9.ZnOヘテロ構造を用いた光・電子素子応用への展望

著者 (3件)： 塚崎敦 (東北大 金属材料研) ,  小塚裕介 (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ) ,  川崎雅司 (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 97  号： 3  ページ： 227-232  発行年： 2014年03月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,ZnO系薄膜の結晶品質は市販のZnO単結晶基板と分子線エピタキシー法の適用によって飛躍的に向上している。本稿では,高品質ZnO系薄膜積層構造の作製に関する技術開発とともに,光電変換素子や電界効果素子への活用を目指した基本素子の動作特性について紹介する。また,ZnOヘテロ構造の電子系移動度は,Si系やAlGaAs/GaAs電界効果素子に匹敵する水準となっており,界面の高品質さを裏付けている。これまでに得られた基礎動作特性を紹介するとともに現状の課題についても述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  薄膜 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  品質 ,  結晶 ,  積層構造 ,  *光起電素子 ,  半導体素子 ,  電場効果
準シソーラス用語： ZnO ,  ZnO薄膜 ,  結晶品質 ,  光電変換素子 ,  電界効果素子 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化物エレクトロニクス ,  進展 ,  将来展望 ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  電子素子 ,  応用 ,  展望