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J-GLOBAL ID：201402290211670983   整理番号：14A1401372

サファイア電界CMP用複合砥粒の開発と研磨特性

著者 (7件)： 川原浩一 (ファインセラミックスセ) ,  鈴木俊正 (ファインセラミックスセ) ,  須田聖一 (静岡大) ,  池田洋 (秋田県産技セ) ,  中村竜太 (秋田県産技セ) ,  久住孝幸 (秋田県産技セ) ,  赤上陽一 (秋田県産技セ)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2014  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.I15  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LED用基板として用いられるサファイアは,原子レベルの平坦性と研磨速度向上が求められている。本研究では,秋田県産業技術センターが開発した研磨中に外部電界を印加し研磨効率を向上する技術(電界CMP)に適した砥粒開発を目的とした。電界に対する応答性とサファイア研磨特性を両立する目的で,SrTiO₃とSiO₂を複合化した砥粒を開発し,その研磨特性について調べた。その結果,同一の電界印加条件下において,開発砥粒を用いたスラリーは市販コロイダルシリカスラリーよりも大きな電界印加効果を示した。(著者抄録)

シソーラス用語： 電解研磨 ,  電場 ,  *砥粒 ,  特性
準シソーラス用語： *電気化学機械研磨 ,  *研磨特性

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  電界 ,  CMP ,  複合砥粒 ,  開発 ,  研磨特性