文献

J-GLOBAL ID：201402290576377746   整理番号：14A0289399

酸化還元型三端子素子の動作において観測される二種類のオン状態

Two types of on-state observed in the operation of a redox-based three-terminal device

著者 (15件)： WANG Qi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  WANG Qi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ITOH Yaomi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  ITOH Yaomi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Satoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Satoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Shu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Shu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  AONO Masakazu (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 596  ページ： 111-115  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素欠損を制御して抵抗変化ランダムアクセスメモリー(ReRAMs)は,デバイスサイズを11nmノード以下とする可能性を有しているため,大きな関心を集めている。本研究では,Ta2O5をイオン輸送材料として用いた酸化還元型三端子素子を作製し,その動作を調べた。作製したデバイスはフの極性のゲートバイアスを加えることでターンオンし,これはp型のトランジスタ動作に対応している。そして,半導体および金属の二種類のオン状態がゲートバイアスの極性を変えることにより実現できた。しかし,一度オン状態にしてしまうと初期の絶縁状態には戻らなかった。

シソーラス用語： *酸化還元反応 ,  三端子回路 ,  状態 ,  *点欠陥 ,  *RAM【メモリ】 ,  酸化タンタル
準シソーラス用語： オン状態 ,  *酸素欠損 ,  *抵抗変化型メモリ

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化還元 ,  観測 ,  オン状態