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文献
J-GLOBAL ID:201402291087611112   整理番号:14A1272740

終端元素制御によるポリダイヤ電界効果トランジスタセンサの水素イオン感度制御

Hydrogen ion sensitivity of termination-controlled polycrystalline diamond field effect transistor sensor
著者 (5件):
資料名:
巻: 30  号: Supplement B  ページ: 64-66  発行年: 2014年09月27日 
JST資料番号: L3948A  CODEN: KAGSEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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ガラス破損リスクや不十分な耐圧性/耐温性が問題視されている。我々は近年,水素終端半導体ダイヤモンド表面を接液させて電界効果トランジスタ(FET)センサとして機能化させ,そのFET-IV特性によりpH値を求める電解質溶液ゲート電界効果トランジスタ(SGFET)型pHセンサを提案一検討し,ダイヤモンド終端制御(部分酸素終端,部分アミノ終端など)によるFET-IVのpH感応性を報告してきた。本研究では,更なる安定性向上とイオン感応性の制御を目指して,多結晶ボロンドープダイヤモンド(BDD)SGFETセンサを提案し,終端元素制御によるpH感応特性変化を検討した。以上の結果より,多結晶ボロンドープダイヤモンドFETセンサは酸素終端化処理によりpH感度を鋭感応化することができ,他方,フッ素終端化処理では条件等によりpH感度を鋭感応化/鈍感応化することができることが示された。今後,鋭感応化条件/鈍感応化条件を精査することで,差分が大きな鋭感応FETと鈍感応FETの組み合わせによる差動型pHセンサを検討する。
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分類 (3件):
分類
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計測機器一般  ,  化学プロセスの測定,監視,計装  ,  トランジスタ 
引用文献 (3件):

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