特許
J-GLOBAL ID：201403002587813511

結晶性層状ケイ酸塩の高温酸処理による高シリカナノ多孔体の製造方法及びその高シリカナノ多孔体

発明者：
池田 拓史

池田 拓史 について

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茅森 俊介

茅森 俊介 について

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水上 富士夫

水上 富士夫 について

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近江 靖則

近江 靖則 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 須藤 政彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326396
公開番号（公開出願番号）：特開2008-137857
特許番号：特許第5419057号
出願日： 2006年12月03日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 隣接する層状骨格構造がSiO4四面体部位で架橋されたことで、層間にミクロ孔が形成された構造を有し、親水性を有し、架橋部位が、化学式O2Si(OH)2で表される局所構造であり、かつその耐熱性が少なくとも600°C以上であり、表1に示される回折ピーク位置と相対強度の関係を有する、ことを特徴とする高シリカナノ多孔体APZ-1。
IPC (1件)：
C01B 37/02 ( 200 6.01)
FI (1件)：
C01B 37/02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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