特許
J-GLOBAL ID：201403008507326575
半導体ナノ粒子の製造方法、及び、半導体ナノ粒子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-088639
公開番号（公開出願番号）：特開2014-212263
出願日： 2013年04月19日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：
【課題】低い反応温度であっても半導体ナノ粒子を製造することができる、より簡便な半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。また、該半導体ナノ粒子の製造方法により製造した半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】周期表11族元素、12族元素、14族元素、及び、16族元素を含む半導体ナノ粒子を製造する方法であって、周期表11族元素のアセチルアセトン塩、周期表12族元素のアセチルアセトン塩、周期表14族元素の四価の金属塩、周期表16族元素の単体又はその化合物、及び、表面修飾剤を含む懸濁液を加熱することにより、半導体ナノ粒子を得る半導体ナノ粒子の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
周期表11族元素、12族元素、14族元素、及び、16族元素を含む半導体ナノ粒子を製造する方法であって、
周期表11族元素のアセチルアセトン塩、周期表12族元素のアセチルアセトン塩、周期表14族元素の四価の金属塩、周期表16族元素の単体又はその化合物、及び、表面修飾剤を含む懸濁液を加熱することにより、半導体ナノ粒子を得ることを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 31/06
, C01G 19/00
, C01B 19/00
, B82Y 40/00
, B82Y 20/00
, B82Y 30/00
H01L31/04 E
, C01G19/00 Z
, C01B19/00 G
, B82Y40/00
, B82Y20/00
, B82Y30/00
5F151AA07
, 5F151CB24
, 5F151DA01
