特許

J-GLOBAL ID：201403022946382549

グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板

発明者： 日浦 英文 ,  塚越 一仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011075883
公開番号（公開出願番号）：WO2012-060468
出願日： 2011年11月02日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

本発明の課題は、量産性があり、高品質であると同時に、低製造コストで半導体装置製造に直接使用可能な、絶縁体上グラフェンであるグラフェン基板の製造方法を提供することにある。本発明のグラフェン基板の製造方法は、金属層を炭化物層に接触させ、金属層および炭化物層を加熱することで金属層中に炭化物層中の炭素を溶解させ、金属層および炭化物層を冷却することで金属層中の前記炭素を炭化物層の表面にグラフェンとして析出させることにより、グラフェン基板を製造する。

請求項（抜粋）：

(a)金属層を炭化物層に接触させ、前記金属層および前記炭化物層を加熱することで前記金属層中に前記炭化物層中の炭素を溶解させ、 (b)前記金属層および前記炭化物層を冷却することで前記金属層中の前記炭素を前記炭化物層の表面にグラフェンとして析出させる、グラフェン基板の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

C01B31/02 101Z ,  H01L21/208 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E

Fターム (46件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC37A ,  4G146BC37B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CA02 ,  4G146CA11 ,  4G146CA16 ,  4G146CB29 ,  4G146CB32 ,  4G146CB37 ,  5F053AA07 ,  5F053BB12 ,  5F053BB13 ,  5F053BB14 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP02 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG41 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04