特許

J-GLOBAL ID：201403036924845724

超伝導膜表面抵抗推測方法、高周波伝送線路の伝搬損失推測方法、超伝導薄膜共振回路Q値推測方法、超伝導膜表面インピーダンス推測方法、超伝導膜表面抵抗推測装置、及び、超伝導検出器製造方法

発明者： 成瀬 雅人 ,  野口 卓 ,  関本 裕太郎
出願人/特許権者： 大学共同利用機関法人自然科学研究機構
代理人 (1件)： 立石 琢也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205379
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060793
特許番号：特許第5540346号
出願日： 2009年09月05日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ギャップエネルギーを複素数化し、複素電気伝導度を(数2)、(数3)から求める工程と、 (ここで、Δは複素ギャップエネルギー、σは複素電気伝導度、σ1は複素電気伝導度の実部、σ2は複素電気伝導度の虚部) (数4)と(数1)とを用いて表面インピーダンスを求める工程と (ここで、Tは温度、ωは周波数) (ここで、Zsは表面インピーダンス、μ0は真空の透磁率、tは超伝導膜の厚み) を有し、 前記表面インピーダンスから超伝導膜の表面抵抗を推測することを特徴とする超伝導膜表面抵抗推測方法。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  G01R 27/02 ( 200 6.01) ,  G01N 22/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 39/22 D ,  G01R 27/02 ZAA R ,  G01N 22/00 K

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 表面抵抗測定方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024901   出願人：東北精機工業株式会社
• 相互変調低減型高Q値構造体のための高温超伝導構造体と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-505603   出願人：スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

• 表面抵抗測定方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024901   出願人：東北精機工業株式会社
• 相互変調低減型高Q値構造体のための高温超伝導構造体と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-505603   出願人：スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

引用文献：

出願人引用 (4件)

• 高温超伝導体の移動体通信への応用
• "On the correct formula for the lifetime broadened superconducting density of states"
• "Effect of Lifetime Broadening ofSuperconducting Energy Gap on QuasiparticleTunneling Current"
• "Theory of the Anomalous Skin Effect in Normal and Superconducting Metals"

審査官引用 (4件)

• 高温超伝導体の移動体通信への応用
• "On the correct formula for the lifetime broadened superconducting density of states",
• "Effect of Lifetime Broadening ofSuperconducting Energy Gap on QuasiparticleTunneling Current"
• "Theory of the Anomalous Skin Effect in Normal and Superconducting Metals"