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文献
J-GLOBAL ID:201502217485031420   整理番号:15A1029862

グラフェンにおける電子照射欠陥と印加応力との相関:分子動力学研究

Correlation between electron-irradiation defects and applied stress in graphene: A molecular dynamics study
著者 (6件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 05E127-05E127-6  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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分子動力学(MD)シミュレーションを行って,グラフェンの電子照射欠陥と印加応力との相関を調べた。グラフェンに引張応力をかけると,吸着原子-空格子点(AV)とStone-Wales (SW)欠陥の数が電子照射下で増大したが,単一空格子点の数はかけた応力によって著しくは影響されなかった。AV欠陥の活性化エネルギーと損失エネルギー両方と,SW欠陥の活性化エネルギーは,グラフェンに引張応力をかけると,低下した。引張応力をかけると,SW欠陥形成に伴う圧縮応力も緩和した。これら印加応力から誘起された効果によって,電子照射下のAV,SW欠陥形成の増大が起こる。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  その他の無機化合物の格子欠陥 

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