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文献
J-GLOBAL ID:201502230697850745   整理番号:15A0704008

電気めっきおよび硫化により作製したCZTS光カソードの光電気化学特性

著者 (6件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 386  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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CZTS(Cu2ZnSnS4)はバンドギャップ1.5eV程度のp型半導体であり,吸収係数が大きくかつ安価な元素から構成されているため太陽電池の吸収層用の材料として注目され始めた材料である。バンド構造は光電気化学的水分解に適しているが,これまでに検討された例は少ない。本研究では,CZTS用に調製した硫酸銅浴,メタンスルホン酸浴,硫酸亜鉛浴からSLG/Mo基板上に積層電着を行い,これを硫黄あるいは硫化水素で硫化することでCZTS光電極を作製し,その光電気化学特性を検討した。硫化方法,硫化温度の違いによりCZTSの粒子形状が大きく変わることに着目し,これらが光電極性能に与える影響について議論する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩  ,  電気化学反応 

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