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J-GLOBAL ID：201502247686677103   整理番号：15A0504309

光ドーピングによる高効率・高速半導体スピントロニクスデバイスの開発

著者 (1件)： 坂本一之 (千葉大 大学院融合科学研究科)
資料名： 千葉大学ベンチャービジネスラボラトリー年報  (Venture Business Laboratory, Chiba University)
号： 15  ページ： 95-96  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： L6012A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体は,強いスピン軌道相互作用と時間反転対称性により固体内部は絶縁体であるがそのエッジ状態はヘリカルなスピン偏極した金属的準位を有する物質であり,その特異な電子状態から次世代半導体スピントロニクス材料として期待されている。本論文では,試料作製時に生じる欠陥などによって電子がドープされたことで固体内が導電体となっているトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃のSe 3dの内殻準位を励起することにより,光ドーピング効果で固体内を絶縁体にもどし,電子スピンのバルクへの拡散を抑制することができることを観測した。この光ドーピングの起源は光誘起化学反応によって物理吸着していた水分子が解離してOもしくはOHとなってBi₂Se₃に化学吸着することに起因することも明らかにした。

シソーラス用語： *フォトドーピング ,  *効率化 ,  *高速度 ,  *磁性半導体 ,  *スピントロニクス ,  電子スピン ,  スピン拡散 ,  効果 ,  絶縁材料 ,  スピン-軌道相互作用 ,  内殻準位 ,  固体内拡散 ,  セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  水分子 ,  解離 ,  化学吸着 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 光ドーピング ,  高効率 ,  ドーピング効果 ,  バルク拡散 ,  セレン化ビスマス

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光ドーピング ,  高効率 ,  スピントロニクスデバイス ,  開発