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J-GLOBAL ID：201502251024747591   整理番号：15A0612598

直接成長グラフェンによる自己組織化デバイスプロセス開発-自己組織化プロセスのデバイス特性への影響-

Effects of the self-alignment process on the electronic properties of the carbon nanowall field effect transistor

著者 (2件)： 河原敏男 (中部大) ,  玉田敦子 (中部大)
資料名： 中部大学総合工学研究所総合工学(Web)  (中部大学総合工学研究所紀要(Web))
巻： 27  ページ： 28-35 (WEB ONLY)  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： U0212A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,自己組織化プロセスを用いた数層グラフェンの配列化によるFETのチャネル構造を作製する場合,デバイス特性に与える影響について報告した。シリコン(Si)ウエハ基板上に500nm厚さの酸化シリコン(SiO₂)絶縁膜を熱酸化成長し,電子線リソグラフィーにより,300nm深さのライン&スペースのパターンを作製した。その後,ICP励起プラズマCVDを用いて,数層グラフェンを成長し,ソース及びドレインとなるTi/Auを形成して,デバイス構造としてバックゲート型のFETを作製した。半導体デバイスアナライザBI1500(Agilent)を用いて,作製したデバイスの電気的特性を測定した。著者等は,グラフェン膜を400及び500°Cで成長した場合,デバイスが,両極性の半導体特性を示し,600°C以上で成長した場合,金属的特性を示すことを明らかにした。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *自己組織化 ,  *半導体素子 ,  プラズマCVD ,  *FET【トランジスタ】 ,  電気的性質 ,  プロセス開発 ,  配列 ,  基板 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  絶縁膜 ,  電子ビームリソグラフィー ,  半導体薄膜 ,  温度依存性 ,  金属性
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  電気的特性 ,  *半導体デバイス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  グラフェン ,  自己組織化 ,  デバイスプロセス ,  開発 ,  プロセス ,  デバイス特性