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J-GLOBAL ID：201502258218437997   整理番号：15A0362346

金属表面上に物理吸着した水素の等温曲線と平均滞留時間を測定に対する電子衝撃脱離法の応用

Application of electron stimulated desorption techniques to measure the isotherm and the mean residence time of hydrogen physisorbed on a metal surface

著者 (5件)： ARAKAWA Ichiro (Dep. of Physics, Gakushuin Univ., 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171-8588, JPN) ,  SHIMIZU Hideyuki (Dep. of Physics, Gakushuin Univ., 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171-8588, JPN) ,  KAWARABUKI Taku (Dep. of Physics, Gakushuin Univ., 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171-8588, JPN) ,  YAMAKAWA Koichiro (Dep. of Physics, Gakushuin Univ., 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171-8588, JPN) ,  MIURA Takashi (Dep. of Physics, Gakushuin Univ., 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171-8588, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 2  ページ： 021602-021602-5  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冷表面上に物理吸着したH₂密度を測定するために電子衝撃脱離法を適用した。銅表面上のH₂の吸着等温曲線を,表面温度6.5及び4.2Kにおいて10^-9及び10^-4Paの平衡圧力域で測定した。銅上H₂の平均滞留時間を平衡に近づく過渡状態における表面密度の時間変化を観測して求めたところ,基板温度0.18から4.2Kの被覆では,50~500sとなった。また,吸着エネルギーは1.18~1.27kJ/mol,凝縮係数は0.074~0.018と求まった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *物理吸着 ,  分子 ,  *吸着等温式 ,  滞留時間 ,  *水素 ,  表面 ,  銅 ,  基板温度 ,  *電子刺激脱離 ,  吸着エネルギー ,  クライオポンプ ,  圧力効果 ,  吸着
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  吸着等温線 ,  吸着分子 ,  金属表面 ,  水素分子 ,  *電子衝撃脱離法 ,  分子吸着 ,  平均滞留時間

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属表面 ,  物理吸着 ,  水素 ,  曲線 ,  平均滞留時間 ,  電子衝撃脱離法 ,  応用