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文献
J-GLOBAL ID:201602227228709626   整理番号:16A0941694

鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上

著者 (7件):
資料名:
巻: 77th  ページ: ROMBUNNO.15p-A35-14  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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