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文献
J-GLOBAL ID:201802279743406946   整理番号:18A0229942

気相法で作製したアモルファスゲルマニウム薄膜の構造変化と結晶化

著者 (3件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 166-169  発行年: 2017年12月30日 
JST資料番号: Y0541A  ISSN: 1349-0958  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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スパッタリング法で作製したアモルファスゲルマニウム薄膜の電子照射誘起結晶化組織が成膜からの経過時間によって異なる,すなわち室温時効によって変遷することを我々は最近発見した。その起源を知るためにアモルファス薄膜の電子線二体分布解析を行ったところ,時効によってアモルファス構造が系統的に変化することがわかった。これまでの研究を紹介し,アモルファス構造と結晶化組織の対応関係に関する現時点での知見を述べる。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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非晶質半導体の構造  ,  半導体薄膜 
引用文献 (15件):
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