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文献
J-GLOBAL ID:201902214928023620   整理番号:19A1375262

イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用-ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-

著者 (13件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.10p-W922-8  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Siウェハへのドーパント原子注入として発展したイオン注入法は,今日,ワイドバンドギャップ半導体などの母材の電気伝導特性制御に利用されるだけでなく,多種の不純物イオンを導入できる特長の下,例えばダイヤモンド中へのカラーセンター形成や酸化チタン...【本文一部表示】
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分類 (2件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  その他の固体デバイス 

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