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文献
J-GLOBAL ID:201902233089338029   整理番号:19A1370144

SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

著者 (7件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.9p-W371-8  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【背景】熱電材料の高性能化には、熱伝導率の低減、出力因子増大が必要である。しかし、一般的に、電気伝導率、ゼーベック係数、熱伝導率にはそれぞれ相関があり、熱伝導率を低減しつつ、出力因子を増大させることは難しい。近年、ナノ構造を導入することで、...【本文一部表示】
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分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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