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J-GLOBAL ID：201902241951160533   整理番号：19A1375317

イオン注入単結晶ダイヤモンドの高温アニールによる結晶性向上

著者 (7件)： 関章憲 (トヨタ自動車) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (名大 未来研) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (名大 未来研) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-M113-8  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた電気特性を有し、高性能パワー半導体として期待されているが、デバイス作成に必要なイオン注入技術は、報告が少ない。坪内氏らのグループでホウ素を用い、高温注入、高温アニールを行い良好な特性が得られる...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *単結晶 ,  半導体 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  *熱処理 ,  *保護膜 ,  *ダイヤモンド ,  *結晶度 ,  Rutherford後方散乱 ,  *温度依存性 ,  ホウ素 ,  Hall効果 ,  アルミニウム ,  濃度依存性
準シソーラス用語： 高温熱処理

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  単結晶ダイヤモンド ,  アニール ,  結晶性