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J-GLOBAL ID:201902278217224253   整理番号:19A1375723

高被覆率窒素終端(111)ダイヤモンドの作製

著者 (25件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.11p-M113-13  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ダイヤモンド中の窒素-空孔中心(NVセンター)は、格子置換型窒素とそれに隣接した1つの原子空孔から成り、負に帯電したNVセンター(NV-)は、量子コンピュータ・量子通信・量子センサへの応用が期待されている。量子センサ応用にはダイヤモンドの表...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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半導体の表面構造 
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