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J-GLOBAL ID:201902286704074663   整理番号:19A1701533

キャント型反強磁性体BaMnSb2におけるバルク半整数量子ホール効果の観測

著者 (12件):
資料名:
巻: 74  号:ページ: ROMBUNNO.16pD209-2  発行年: 2019年03月22日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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AMnX2 (A:アルカリ土類、X:Sb, Bi)は、X元素の正方格子からなるディラック電子層とMn-Xからなる磁性ブロック層の積層構造を形成し、ディラック電子と磁性とが共存する系である。中でもBaMnSb2は反強磁性秩序したMnスピンが僅...【本文一部表示】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の電気伝導  ,  その他の無機化合物の磁性 
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