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J-GLOBAL ID：201902289826823736   整理番号：19A1375716

相補型高周波増幅器応用に向けた(111)ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価

著者 (9件)： 久樂顕 (早稲田大) ,  今西祥一朗 (早稲田大) ,  大井信敬 (早稲田大) ,  大久保智 (早稲田大) ,  堀川清貴 (早稲田大) ,  蔭浦泰資 (早稲田大) ,  平岩篤 (早稲田大) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-M113-4  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 二次元正孔ガス(2DHG)ダイヤモンドは、表面チャネルを利用した高周波・高出力pチャネルFET(p-FET)としての応用が期待される。特に、高効率であるD級高出力高周波増幅器には、n-FETとp-FETによる相補型FETが最適で、ダイヤモン...【本文一部表示】

シソーラス用語： *CMOS ,  *高周波増幅器 ,  *周波数特性 ,  特性 ,  利得 ,  周波数
準シソーラス用語： *相補型MOSFET ,  *高周波特性 ,  トランスファー特性 ,  電流利得 ,  電力利得 ,  最大発振周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波増幅器 ,  応用 ,  ダイヤモンド ,  高周波特性 ,  評価