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J-GLOBAL ID：202102254952389741   整理番号：21A0327877

磁性膜の強磁性共鳴を利用した次世代移動体通信機器の誘導性減結合

Inductive Noise De-coupling Using Ferromagnetic Resonance of Magnetic Films for Next-generation Mobile Devices

著者 (1件)： 室賀翔 (秋田大 大学院理工学研究科)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 34 12月  ページ： 468-475  発行年： 2020年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 線路と回路の間のクロストーク抑制(誘導雑音デカップリング)は,高速データ処理,広帯域通信,低消費電力,および多機能性を有する次世代電子デバイスの最も重要な基本的問題の1つである。クロストーク抑制に関連する従来の方法は,ワイヤと接地面のレイアウト修正とガードトレースの追加である。さらに,2つの信号線の間に充填した磁性複合材料は1GHzの周波数において約10~20dBの遠端クロストークを抑制した。しかし,これらの方法は付加的フットプリントを必要とし,さらに,GHz周波数領域で大きな抑制を得ることができない。本研究では,数種類のソフト磁性膜,Co-Zr-Nb,Ni-Fe,(Co-Pd)-CaF₂膜などを用いた3型雑音抑圧器のクロストーク抑制を実証した。95μmの線幅を有する単純な2つの並列マイクロストリップ線(MSLs)を作製し,クロストーク抑制を評価するための試験台として用いた。MSLs上に置かれた膜は,有効強磁性共鳴(FMR)周波数の周りと遠端クロストークの両方を抑制した。膜に外部磁場を適用することにより,クロストーク抑制へのFMRの寄与を明らかにした。さらに,MSL間の磁束結合を,DUTの磁束経路を考慮した簡単な磁気回路解析によって計算した。相互インダクタンスを計算した磁束結合で評価した。その結果,2つの平行MSL間の磁束結合は磁性膜の負の透磁率により減少し,相互インダクタンスは減少した。これらの結果は,ICチップとパッケージの設計自由度を増加させるための磁性膜の有用性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性体 ,  *膜 ,  *強磁性共鳴 ,  *携帯電話 ,  移動通信 ,  *デカップリング ,  クロストーク ,  誘導雑音 ,  金属線 ,  金属板 ,  接地装置 ,  レイアウト ,  マイクロ波 ,  マイクロストリップ線路 ,  磁気回路 ,  相互インダクタンス ,  透磁率 ,  半導体チップ ,  梱包
準シソーラス用語： *磁性膜 ,  *次世代携帯電話 ,  移動体通信 ,  減結合 ,  ワイヤ ,  接地面 ,  マイクロストリップ ,  負の透磁率 ,  ICチップ ,  パッケージ

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  移動通信  (ND08030H)

引用文献 (3件)：

• S. Muroga, J. Ma, Y. Endo, S. Hashi, M. Naoe, H. Yokoyama, Y. Hayashi, K. Ishiyama, ′′Crosstalk suppression of magnetic films covered by two parallel microstrip lines,′′ Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 58 (8), #080902 (5pages) (2019).
• 室賀, 真壁, 田中 ′′Co-Zr-Nb膜を配置した平行2線MSL間の相互インダクタンスの推定,′′ 信学会EMCJ、 EMCJ20204(2020).
• 三上, 室賀, 田中 ′′異なる寸法の電磁ノイズ抑制体を配置したマイクロストリップ線路の回路定数の推定,′′ 電気学会論文誌A, Vol.140 (12) (2020).

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性膜 ,  強磁性共鳴 ,  次世代 ,  移動体通信機器 ,  減結合