特許
J-GLOBAL ID：202103008960851929
アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-150267
公開番号（公開出願番号）：特開2021-032607
出願日： 2019年08月20日
公開日（公表日）： 2021年03月01日
要約：
【課題】FETを用いて簡便かつ高感度に非荷電分子を検出することを可能にする半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法を提供する。【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
IPC (4件)：
G01N 27/414
, G01N 33/483
, G01N 33/74
, G01N 27/00
G01N27/414 301V
, G01N33/483 E
, G01N33/74
, G01N27/00 J
2G045AA40
, 2G045DA18
, 2G045DA54
, 2G045DA56
, 2G045DA69
, 2G045FA34
, 2G045GC17
, 2G060AA15
, 2G060AA19
, 2G060AD06
, 2G060DA15
, 2G060KA09
