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J-GLOBAL ID：202202241401738846   整理番号：22A0608670

電子密度分布の時間発展データを用いたナノスケール半導体中の不純物分布予測モデル

Prediction Model of Impurity Distribution in Nanoscale Semiconductors Using Time-Evolution Data of Electron Density Distribution

著者 (5件)： 小倉佑斗 (北海道科大) ,  河原圭汰 (北海道科大) ,  伊藤佳卓 (北海道科大) ,  須子統太 (早稲田大) ,  村口正和 (北海道科大)
資料名： 電気・情報関係学会北海道支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Joint Convention Record, the Hokkaido Chapters of the Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan (CD-ROM))
巻： 2021  ページ： ROMBUNNO.18  発行年： 2021年10月29日 
JST資料番号： L1739B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.背景と目的.ナノスケールの半導体デバイスの設計においては、従来の定常状態をベースとした手法に加え、動作時の電荷の動的・過渡的なダイナミクスを取り入れることが必要となってきている。我々はこれまで、量子ダイナミクス計算と機械学習を組み合わせ...【本文一部表示】

シソーラス用語： Schroedinger方程式 ,  *電子密度 ,  *半導体 ,  半導体素子 ,  *不純物 ,  ニューラルネットワーク ,  モデリング ,  *モデル ,  二次元 ,  *不純物分布 ,  *時間発展 ,  機械学習 ,  *予測モデル ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  人工知能  (JE08000Z) ,  ネットワーク法  (KA03040X) ,  数値計算  (JE02000J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子密度分布 ,  発展 ,  ナノスケール ,  不純物分布 ,  予測モデル