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J-GLOBAL ID：200902287992428944   整理番号：08A1178101

SmCo₅(0001)薄膜のエピタキシャル成長と構造解析

Epitaxial Growth and Structure Analysis of SmCo₅(0001) Thin Films

著者 (4件)： 大竹充 (中央大 理工) ,  額賀友理 (東京芸術大 大学院美術研究科) ,  桐野文良 (中央大 理工) ,  二本正昭 (中央大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 234(MR2008 19-29)  ページ： 7-12  発行年： 2008年10月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Cu(111)単結晶下地層上においてエピタキシャルSmCo₅(0001)薄膜が得られた。一方,Ru(0001)およびCo(0001)単結晶下地層上ではアモルファスSm-Co相が形成された。Cu下地層上に直接形成されたエピタキシャルSmCo₅薄膜は膜面垂直方向に互いに30度回転した方位関係を持つ双結晶から構成された。Cu下地層上にシード層を設けることにより,SmCo₅結晶の核生成が制御され,SmCo₅(0001)単結晶薄膜が形成された。いずれのエピタキシャルSmCo₅薄膜においても,下地層のCu原子がSmCo₅層に拡散し,Cu原子がSmCo₅規則構造のCoサイトに置換したSm(Co,Cu)₅相が形成された。Cu原子の拡散はエピタキシャルSmCo₅(0001)薄膜の形成に重要な役割を果たしているものと解釈された。(著者抄録)

シソーラス用語： エピタクシー ,  単結晶 ,  薄膜 ,  *磁性材料 ,  基板 ,  構造解析 ,  単結晶基板
準シソーラス用語： *SmCo5薄膜 ,  *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

引用文献 (20件)：

• 1) KULLMANN U. Amorphous CoSm Thin Films : A New Material for High Density Longitudinal Recording. IEEE Trans. Magn.. (1984) vol.20, p.420-424.
• 2) BELK N. R. Measurement of the intrinsic signal-to-noise ratio for high-performance rigid recording media. J. Appl. Phys.. (1986) vol.59, p.557-567.
• 3) TAKAHASHI Y. K. Microstructure and magnetic properties of SmCo_5 thin films deposited on Cu and Pt underlayers. J. Appl. Phys.. (2006) vol.100, p."053913 1"-"053913 6".
• 4) OHTAKE M. Microstructure of Co/X (X=Cu,Ag,Au) epitaxial thin films grown on Al_2O_3(0001) substrates. J. Appl. Phys.. (2007) vol.101, p."09D122 1"-"09D122 3".
• 5) OHTAKE M. Epitaxial growth of hcp/fcc Co bilayer films on Al_2O_3(0001) substrates. J. Appl. Phys.. (2008) vol.103, p."07B522 1"-"07B522 3".

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  構造解析