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J-GLOBAL ID:201402224342786470   整理番号:14A0811208

半導体パッケージ向け2抵抗モデルに関する考察

著者 (4件):
資料名:
巻: 51st  ページ: ROMBUNNO.E124  発行年: 2014年 
JST資料番号: F0872D  ISSN: 1346-1532  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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半導体のジャンクション温度予測の手段として,以前から2抵抗モデルが広く使用されている。しかし,近年のシリコンダイ内発熱分布の複雑化及びシステム設計における温度予測精度向上の要求から,2抵抗モデルでは実用的な予測精度が得られないケースが増えている。そこで,本稿では,ノートブック型パーソナルコンピュータやタブレットデバイスで使用されるマイクロプロセッサについて,拡大熱抵抗,局所熱抵抗の概念を用いて,予測誤差要因を考察し,2抵抗モデルで予測精度を向上させる方策について議論する。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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対流・放射熱伝達 
タイトルに関連する用語 (2件):
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