特許
J-GLOBAL ID：201703007413095592
超高周波強磁性薄膜とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-163849
公開番号（公開出願番号）：特開2017-041599
出願日： 2015年08月21日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：
【課題】電子機器の電磁誘導性電子デバイスに適した磁性薄膜を提供する。【解決手段】膜面内一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成(原子比率)は、一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、Co及び/又はNiであり、MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、Gd及び/又はYである。Fはフッ素であり、かつ、組成比aが3%以上7%未満、bが6%以上18%未満であり、かつ、a+bの合計が10%以上24%以下、すなわちLが76%以上90%以下である組成を有し、Lからなる金属及びMとFのフッ化物が混合した組織をもつ・飽和磁化が3.5kG以上21.5kG以下、かつ、異方性磁界が300Oe以上であって、高周波透磁率の強磁性共鳴周波数が7GHz以上であり、さらには、比抵抗が1.0×102μオーム・cm以上である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素-但しNiの単独は除く-であり、MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される1種以上の元素であり、Fはフッ素であり、かつ組成比a、bは 原子比率で、aが3 %以上7 %未満、bが6 %以上18 %未満であり、かつa+bの合計の 原子比率が10 %以上24 %以下、すなわちLが76 %以上90 %以下である組成を有し、かつ 前記Lからなる金属およびMとFのフッ化物が混合した組織をもつとともに、飽和磁化 が3.5 kG以上21.5 kG以下、異方性磁界が300 Oe以上であり、かつ高周波透磁率の強磁 性共鳴周波数が7 GHz以上であり、さらには、比抵抗が1.0×102 μΩ・cm以上であることを特徴とする膜面内一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5E049AA04
, 5E049BA11
, 5E049GC02
, 5E049GC04
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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