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資料名：
巻： 28 号： 15 ページ： 1419-1420 発行年： 1992年07月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902000000980406
整理番号：92A0656048
分子線エピタクシー成長横方向npn電流阻止構造をもつ低しきい値InGaAsひずみ量子井戸レーザ
Low threshold InGaAs strained quantum well laser with lateral npn current blocking structure grown by molecular beam epitaxy.
TAKAMORI T
(OKI Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
WATANABE K
(OKI Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAMIJOH T
(OKI Electric Industry Co. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 28 号： 15 ページ： 1419-1420 発行年： 1992年07月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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