文献
J-GLOBAL ID:200902000024481583
整理番号:89A0027360
GaAsの転位密度に及ぼす等電子ドーパントの効果
Effect of iso-electronic dopants on the dislocation density of GaAs.
著者 (2件):
BLOM G M
(North American Philips Corp., NY, USA)
,
WOODALL J M
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
17
号:
5
ページ:
391-396
発行年:
1988年09月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)