文献
J-GLOBAL ID:200902000127384489
整理番号:90A0044605
(100)面と(110)面上へのCoSi2とNiSi2の室温ホモエピタキシャル成長
Homoepitaxial growth of CoSi2 and NiSi2 on (100) and (110) surfaces at room temperature.
著者 (3件):
TUNG R T
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SCHREY F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
YALISOVE S M
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
55
号:
19
ページ:
2005-2007
発行年:
1989年11月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)