文献
J-GLOBAL ID:200902000174402169
整理番号:92A0017377
MIS構造上のIn0.53Ga0.47As/Si3N4界面の電気的および構造的特性の相互関係
Correlation Between Electrical and Structural Characterization of In0.53Ga0.47As/Si3N4 Interfaces on MIS Structures.
著者 (5件):
LOPEZ-VILLEGAS J M
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
MORANTE J R
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
CORNET A
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
,
RENAUD M
(Lab. Electronique Philips, Limeil-Brevannes, FRA)
,
BOHER P
(Lab. Electronique Philips, Limeil-Brevannes, FRA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
138
号:
11
ページ:
3470-3473
発行年:
1991年11月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)