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文献
J-GLOBAL ID:200902000174402169   整理番号:92A0017377

MIS構造上のIn0.53Ga0.47As/Si3N4界面の電気的および構造的特性の相互関係

Correlation Between Electrical and Structural Characterization of In0.53Ga0.47As/Si3N4 Interfaces on MIS Structures.
著者 (5件):
LOPEZ-VILLEGAS J M
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
MORANTE J R
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
CORNET A
(Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
RENAUD M
(Lab. Electronique Philips, Limeil-Brevannes, FRA)
BOHER P
(Lab. Electronique Philips, Limeil-Brevannes, FRA)

資料名:
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

巻: 138  号: 11  ページ: 3470-3473  発行年: 1991年11月 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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