文献
J-GLOBAL ID:200902000185661719
整理番号:87A0072919
シリコンおよび二酸化シリコンの直接窒化のプラズマによる助長
Plasma enhancement in direct nitridation of silicon and silicon-dioxide.
著者 (3件):
ITO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KATO I
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Plasma Synthesis and Etching of Electronic Materials
(Plasma Synthesis and Etching of Electronic Materials)
ページ:
473-485
発行年:
1985年
JST資料番号:
K19860621
ISBN:
0-931837-03-0
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)