文献
J-GLOBAL ID:200902001839245996
整理番号:89A0421805
高電圧集積回路用の新型SOI構造MOSFET
Novel silicon-on-insulator MOSFET for high-voltage integrated circuits.
著者 (1件):
RATNAM P
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
25
号:
8
ページ:
536-537
発行年:
1989年04月13日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)