文献
J-GLOBAL ID:200902001861176914
整理番号:92A0283772
256MビットDRAM用高信頼度2.5nm Ta2O5キャパシタのプロセス技術
Highly Reliable 2.5nm Ta2O5 Capacitor Process Technology for 256Mbit DRAMs.
著者 (4件):
KAMIYAMA S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SAEKI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MORI H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NUMASAWA Y
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1991
ページ:
827-830
発行年:
1991年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)